VISHAY SISS08DN-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 25V, 195,5A, 150°C

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00102 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 195.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 25 V Dissipazione di potenza 65.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised