Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3019151 N. Art. Produtt.: SIZF920DT-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 197 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV SkyFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 197 A Resistenza RdsON canale N 700 µohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 700 µohm Dissipazione di potenza canale N 74 W Dissipazione di potenza canale P 74 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAIR Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SIZF920DT-T1-GE3, 3019151, 301-9151 |
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