VISHAY SISS61DN-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, -20V, -111.9A, 150°C

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0029 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 111.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 65.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised