VISHAY SQM50034E_GE3 MOSFET, CANALE N 60V, 100A, 175°C, 150W

Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0032 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C