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DIODES INC. DMG1013UWQ-7 MOSFET, AEC-Q101, CAN P, -20V, SOT-323
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3127311
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMG1013UWQ-7
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 820 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 310 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
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transistor di potenza
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DIODES INC.
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DMG1013UWQ-7
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3127311
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312-7311
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Simile
MOSFET DiodesZetex, canale P, 1,5 Ω, 820 mA, SOT-323, Montaggio superficiale
Diodes
DMG1013UW-7
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