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STMICROELECTRONICS STB100N6F7 MOSFET, CA-N, 60V, 100A, 125W, TO-263


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N. Articolo:
     8585-3130065
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB100N6F7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0047 ohm Gamma di prodotti STripFET F7 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2019)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STB100N6F7, 3130065, 313-0065
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