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ROHM RGT16TM65DGC9 IGBT, 650V, 9A, 175°C, 22W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3132319
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGT16TM65DGC9
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor TO-220NFM Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.65 V Corrente di collettore continua 9 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 22 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Montaggio Transistore foro passante (THT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RGT16TM65DGC9, 3132319, 313-2319
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