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ROHM RGTH80TK65DGC11 IGBT, 650V, 31A, 175°C, 66W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3132344
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGTH80TK65DGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor TO-3PFM Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.6 V Corrente di collettore continua 31 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 66 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Montaggio Transistore foro passante (THT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RGTH80TK65DGC11, 3132344, 313-2344
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