ROHM RQ6C050UNTR MOSFET, CANALE N, 20V, 5A, 150°C, 1.25W

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-457T Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)