ONSEMI NTTFS6H850NLTAG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 64 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 73 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)