Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3236771 N. Art. Produtt.: NVMYS3D3N06CLTWG EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 133 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 100 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVMYS3D3N06CLTWG, 3236771, 323-6771 |
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