ONSEMI FCPF099N65S3 MOSFET, CANALE N, 650V, 30A, 150°C, 43W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.085 ohm Gamma di prodotti SuperFET III Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 43 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)