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ONSEMI FDBL0110N60 MOSFET, CANALE N, 60V, 300A, 175°C, 429W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3253675
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDBL0110N60
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 850 µohm Gamma di prodotti PowerTrench Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 300 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor H-PSOF Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 429 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDBL0110N60, 3253675, 325-3675
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