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VISHAY SI2393DS-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, -30V, -7.5A, 2.5W


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N. Articolo:
     8585-3263506
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2393DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0189 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 7.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI2393DS-T1-GE3, 3263506, 326-3506
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