VISHAY SIZ260DT-T1-GE3 MOSFET, DOPPIO CAN N, 80V, 24.7A, 150°C

Tensione drain-source (Vds) canale N 80 V Corrente di drain continua (Id) canale P 24.7 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 80 V Corrente di drain continua (Id) canale N 24.7 A Resistenza RdsON canale N 0.0204 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0204 ohm Dissipazione di potenza canale N 33 W Dissipazione di potenza canale P 33 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAIR Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised