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ROHM QH8KA3TCR MOSFET, DOPPIO CAN N, 30V, 9A, TSMT


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3287306
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QH8KA3TCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 9 A Resistenza RdsON canale N 0.0123 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0123 ohm Dissipazione di potenza canale N 2.6 W Dissipazione di potenza canale P 2.6 W Temperatura di esercizio max 150 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, QH8KA3TCR, 3287306, 328-7306
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