VISHAY SIHA105N60EF-GE3 MOSFET, CAN N, 600V, 29A, 150°C, 35W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.088 ohm Gamma di prodotti EF IV Gen Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 29 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 35 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised