STMICROELECTRONICS STD4LN80K5 MOSFET, CAN N, 800V, 3A, 150°C, 60W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.1 ohm Gamma di prodotti MDmesh K5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)