ONSEMI NVBG020N090SC1 MOSFET, CAN N, 900V, 112A, 175°C, 477W

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.02 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 112 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 900 V Dissipazione di potenza 477 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)