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ONSEMI NVHL020N120SC1 MOSFET, CAN N, 1.2KV, 103A, 175°C, 535W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3367866
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVHL020N120SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.02 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 103 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 535 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NVHL020N120SC1, 3367866, 336-7866
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