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ONSEMI FDP045N10A-F102 MOSFET, CAN N, 100V, 120A, 175°C, 263W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3368759
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDP045N10A-F102
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0038 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 263 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDP045N10A-F102, 3368759, 336-8759
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