ONSEMI HUF76629D3ST MOSFET, CAN N, 100V, 20A, 175°C, 150W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.041 ohm Gamma di prodotti UltraFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)