ONSEMI NVJS4151PT1G MOSFET, CAN P, 20V, 3.2A, 150°C, 1.2W

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.055 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.2 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)