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ONSEMI NVMFS5C612NLWFAFT1G MOSFET, CAN N, 60V, 250A, 175°C, 167W


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N. Articolo:
     8585-3368872
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C612NLWFAFT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.13 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 250 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 167 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVMFS5C612NLWFAFT1G, 3368872, 336-8872
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