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Articolo
ROHM RD3H080SPFRATL MOSFET, AEC-Q101, CA-P, 45V, 8A, TO-252
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3406587
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RD3H080SPFRATL
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.065 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 45 V Dissipazione di potenza 15 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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ROHM
,
RD3H080SPFRATL
,
3406587
,
340-6587
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