Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3438414 N. Art. Produtt.:
IXTN210P10T EAN/GTIN:
n.d. |
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| Dissipazione di potenza 830 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017) Tipo di canale canale P Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0075 ohm Gamma di prodotti TrenchP Corrente Continua di Drain Id 210 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 100 V |
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| Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Transistori, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTN210P10T, 3438414, 343-8414 |
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| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 34,43* | € 50,83* | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 36,89* | € 59,45* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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