IXYS SEMICONDUCTOR IXTP24N65X2M MOSFET, CAN N, 650V, 24A, TO-220

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.145 ohm Gamma di prodotti X2-Class Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 37 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017)