IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ22N50P MOSFET, CAN N, 500V, 22A, TO-3P

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.27 ohm Gamma di prodotti Polar Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 22 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-3P Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 350 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017)