NEXPERIA BUK9K29-100E,115 MOSFET, DOPPIO CAN N 100V 30A, LFPAK56D

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchMOS Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.0227 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0227 ohm Dissipazione di potenza canale N 68 W Dissipazione di potenza canale P 68 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56D Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)