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NEXPERIA BUK9K52-60E,115 MOSFET, DOPPIO CAN N, 60V, 16A, LFPAK56D
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3439709
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
BUK9K52-60E,115
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 16 A Gamma di prodotti TrenchMOS Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 16 A Resistenza RdsON canale N 0.0414 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0414 ohm Dissipazione di potenza canale N 32 W Dissipazione di potenza canale P 32 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56D Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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SMD transistor
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(FET)
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BUK9K52-60E,115
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