NEXPERIA PH2520U,115 MOSFET, CAN N, 20V, 100A, LFPAK56

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0021 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor LFPAK56 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)