NEXPERIA PHB21N06LT,118 MOSFET, CAN N, 55V, 19A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.055 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 19 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 55 V Dissipazione di potenza 56 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)