NEXPERIA PHB33NQ20T,118 MOSFET, CAN N, 200V, 32.7A, TO-263

Resistenza Drain-Source in conduzione 0.065 ohm Gamma di prodotti TrenchMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 32.7 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 230 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di test di Rds(on) 10 V