VISHAY SQM120P10_10M1LGE3 MOSFET, CAN P, 100V, 120A, 175°C, 375W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0081 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised