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VISHAY SQM110P06-8M9L_GE3 MOSFET, CAN P, 60V, 110A, 175°C, 230W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3470667
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQM110P06-8M9L_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 110 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 230 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
,
Transistori
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VISHAY
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SQM110P06-8M9L_GE3
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3470667
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347-0667
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