VISHAY SQM110P06-8M9L_GE3 MOSFET, CAN P, 60V, 110A, 175°C, 230W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 110 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 230 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised