VISHAY SQJQ980EL-T1_GE3 MOSFET, CAN N 80V, 36A, 175°C, 187W

Tensione drain-source (Vds) canale N 80 V Corrente di drain continua (Id) canale P 36 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 80 V Corrente di drain continua (Id) canale N 36 A Resistenza RdsON canale N 0.0036 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0036 ohm Dissipazione di potenza canale N 187 W Dissipazione di potenza canale P 187 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised