VISHAY SQ1912AEEH-T1_GE3 MOSFET, CAN N 20V, 0,8A, 175°C, 1.5W

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 800 mA Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 800 mA Resistenza RdsON canale N 0.2 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.2 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SC-70 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised