MICROCHIP TC6320TG-G MOSFET, N & P COMP, 200V, NSOIC-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 200 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 200 V Corrente di drain continua (Id) canale N - Resistenza RdsON canale N 7 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 7 ohm Dissipazione di potenza canale N - Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor NSOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)