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INFINEON IMZA65R048M1HXKSA1 MOSFET, CAN N, 650V, 39A, TO-247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3500948
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IMZA65R048M1HXKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.048 ohm Gamma di prodotti CoolSiC M1 Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 39 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 125 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC)
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
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Carburo
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Discreti
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Effetto
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Moduli
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Semiconduttori
,
Silicio,(SiC)
,
INFINEON
,
IMZA65R048M1HXKSA1
,
3500948
,
350-0948
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Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
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