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IXYS SEMICONDUCTOR IXYH55N120A4 IGBT, 1,2KV, 175A, 650W, TO-247


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3513387
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYH55N120A4
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti XPT GenX4 Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Stile di Case del Transistor TO-247 Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.5 V Corrente di collettore continua 175 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 650 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017) Montaggio Transistore foro passante (THT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, IXYS SEMICONDUCTOR, IXYH55N120A4, 3513387, 351-3387
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