Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3526149 N. Art. Produtt.:
BUK4D110-20PX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 8 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.075 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 6.7 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN2020MD Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 7.5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 950 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BUK4D110-20PX, 3526149, 352-6149 |
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