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Articolo
STMICROELECTRONICS STGB30H65DFB2 IGBT, 650V, 50A, 167W, TO-263
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3528422
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STGB30H65DFB2
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gamma di prodotti HB2 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.65 V Corrente di collettore continua 50 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 167 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori Bipolari a Gate Isolato (IGBT)
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Transistori IGBT Singoli
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STMICROELECTRONICS
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STGB30H65DFB2
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3528422
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352-8422
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