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STARPOWER GD150HFX65C1S TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 180A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3549231
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD150HFX65C1S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 180 A Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Dissipazione di potenza 437 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (25-Jun-2020) Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD150HFX65C1S, 3549231, 354-9231
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