Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 8585-3573218 N. Art. Produtt.: BSM180C12P2E202 EAN/GTIN: n.d. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) - Resistenza Drain-Source in conduzione - Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET Chopper Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 204 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 1.36 kW Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, BSM180C12P2E202, 3573218, 357-3218 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |