Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3573225 N. Art. Produtt.:
BSM300D12P2E001 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) - Resistenza Drain-Source in conduzione - Gamma di prodotti - Numero di pin - Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Stile di Case del Transistor Module Corrente Continua di Drain Id 300 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 1.875 kW Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, BSM300D12P2E001, 3573225, 357-3225 |
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