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INFINEON IAUA250N04S6N007AUMA1 MOSFET, CAN N, 40V, 435A, HSOF


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-3577306
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IAUA250N04S6N007AUMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 500 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 6 Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 435 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor HSOF Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IAUA250N04S6N007AUMA1, 3577306, 357-7306
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