Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3577871 N. Art. Produtt.:
XP231P02013R-G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 3.2 ohm Gamma di prodotti XP231P0201xx-G Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 200 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323-3A Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 350 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TOREX, XP231P02013R-G, 3577871, 357-7871 |
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