Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3577906 N. Art. Produtt.: SCT3160KW7TL EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.16 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 17 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 100 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT3160KW7TL, 3577906, 357-7906 |
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