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ROHM RGS30TSX2GC11 IGBT, 1,2KV, 30A, 267W, TO-247N
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3580046
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RGS30TSX2GC11
EAN/GTIN:
n.d.
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Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Stile di Case del Transistor TO-247N Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.7 V Corrente di collettore continua 30 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 267 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Montaggio Transistore foro passante (THT)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori Bipolari a Gate Isolato (IGBT)
>
Transistori IGBT Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor igbt
,
(IGBT)
,
Bipolari
,
Discreti
,
Gate
,
IGBT
,
Isolato
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Semiconduttori
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Singoli
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ROHM
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RGS30TSX2GC11
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3580046
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358-0046
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