VISHAY SQJ152ELP-T1_GE3 MOSFET, CAN N, 40V, 123A, POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.004 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 123 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised